Am Beginn der Entwicklung von Halbleitern, stand eine wissenschaftliche Entdeckung, die lange ignoriert wurde. 1876 hielt Ferdinand Braun einen Vortrag über Stromleitung durch Kristalle.

Der erste Transistor, 1947 Die Leitfähigkeit eines reinen Halbleiterkristalls beruht auf der Bildung von frei beweglichen Ladungsträgern: Elektronen und Elektronenlöcher. Die Elektronenlöcher verhalten sich wie positive Ladungen. Die Leitfähigkeit nimmt mit wachsender Temperatur zu.

Er schildert seine Versuche, bei denen er eine Metallspitze auf einen Schwefelkristall presste und herausfand, dass der Kristall in einer Richtung gut leitet und zwar um so besser, je höher der Strom ist, in der anderen Richtung fließt hingegen nur wenig Strom. Da man damals nur Ohmsche Leiter und Isolatoren kannte, passte dieser Gleichrichteffekt nicht in die damals bekannten Eigenschaften der Materie und es dauerte fast 60 Jahre!!! bis eine Erklärung dieser besonderen Merkmale gefunden werden konnte. Diese von Braun gefundene "elektrische Einbahn" spielte dann als Germanium-Kristalldetektor im frühen 19. Jahrhundert in der Anfangszeit von Telegrafie und Radio eine wichtige Rolle und beeinflusste später sogar entscheidend den Ausgang des 2. Weltkrieges! Radaranlagen benützen sehr kurzwellige, hochfrequente elektromagnetische Wellen. Radarempfänger müssen die schwach reflektierten Signale empfangen und verstärken. Für diesen Zweck erwies sich Brauns Kristalldetektor als qualifiziert. Die in Massen produzierten Radergeräte entschieden somit den Luftkrieg um England.

Auch die zweite Hälfte des 20. Jahrhunderts ist eindeutig durch den Aufschwung der Halbleiterindustrie geprägt. Elektonische Schaltkreise sowie Computer revolutionierten die Arbeitswelt und Freizeit.

Wie funktioniert nun eine Led?

Aluminiumgalliumarsenid (AlGaAs) – rot und infrarot, bis 1000 nm Wellenlänge Galliumaluminiumarsenid (GaAlAs) – z. B. 665 nm, rot, LWL bis 1000 nm Galliumarsenidphosphid (GaAsP) und Aluminiumindiumgalliumphosphid (AlInGaP) – rot, orange und gelb Galliumphosphid (GaP) – grün Indiumgalliumnitrid (InGaN)/Galliumnitrid (GaN) – UV, blau und grün Kupferplumbid (CuPb) - Emitter im nahen Infrarot (NIR) Weiße LEDs sind meistens blaue LEDs mit einer Phosphorschicht, die als Lumineszenz-Konverter wirkt Indiumgalliumnitrid (InGaN)/Galliumnitrid (GaN) – UV, blau, Galliumphosphid (GaP) – grün, Galliumaluminiumarsenid (GaAlAs) – z. B. 665 nm, rot, Aluminiumindiumgalliumphosphid (AlInGaP), orange.

In einem reinem Halbleiterkristall befinden sich immer gleich viele Leitungselektronen wie Elektronenlöcher. Die Anzahl der frei beweglichen Ladungsträger und somit die Leitfähigkeit eines Halbleiters kann durch die Zugabe(dotieren) bestimmter Fremdatome wesentlich gesteigert werden. Man spricht dann von dotierten Halbleitern. Durch Einbau von fünfwertigen Fremdatomen (Donatoren) erhält man Elektronen Überschussleiter(n-Leiter) und durch Einbau von dreiwertigen Fremdatomen (Akzeptoren) erhält man Elektronen Mangelleiter (p-Leiter).

Bauen wir nun in Gedanken eine Diode zusammen.
Wir nehmen je ein Stück n- leitendes und p- leitendes Material. Solange sich die beiden Halbleiter nicht berühren, sind sie elektrisch neutral. Im n-Leiter befinden sich viele frei bewegliche Elektronen und im p-Leiter befinden sich viele frei bewegliche Elektronenlöcher.
Nun verbinden wir den n und p-Leiter mit einem Hauch dünnen Golddraht und legen eine Durchlassspannung an. An der Kontaktfläche kommt nun einiges in Schwung. Elektronen aus dem n-Bereich und Elektronenlöcher aus dem p-Bereich wandern durch den pn-Übergang (Golddraht) und

r e k o m b i n i e r e n
d.h. Elektronen werden von den Löchern eingefangen und wieder an Gitterplätze gebunden. Die dabei freiwerdende Energie wird als Licht abgestrahlt.
Die Farbe des abgestrahlten Lichtes hängt somit vom Material (Halbleiter) der Led´s ab.

Ein neues Verfahren kündigt eine kostengünstigere Erzeugung bei weißen LEDs an:

Bei dem gängigste Herstellungsverfahren um weiße LEDs herzustellen, wird Galliumnitrid auf eine Grundschicht aus Saphir gedampft dann wieder abgelöst und erneut bedampft. So entsteht die erste Schicht des GaN-Halbleiterkristall. In einem neuen Verfahren des Birck Nanotechnology Center an der Universität Purdue wurde jetzt die teure Saphirschicht durch Silizium ersetzt. Eine Beschichtung aus Zirkonnitrid verhindert, dass die Siliziumschicht Licht absorbiert. Die Verwendung von Zirkonnitrid wurde erst ermöglicht indem man das Silizium zuvor mit einer Zwischenschicht aus Aluminiumnitrid überzog, um die Reaktion des Siliziums mit dem Zirkonnitrid zu verhindern. Als letzte Schicht wird das Galliumnitrid aufgedampft. Durch dieses Verfahren können die wesentlich günstigeren und großflächigen Siliziumscheiben zur LED Herstellung verwendet werden.

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